5A 500 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 5N50

5A 500V N-канальный режим режима мощности Power MOSFET

1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.

2 функции 

● Быстрое переключение

● Улучшенная ESD улучшенная способность 

● Низкое сопротивление (rdson≤1,6 Ом) 

● Заряд с низким затвором (тип: 12.6NC)

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 4PF)

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS

3 приложения 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера