5A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 5N50

5A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime 

● Madal takistus (Rdson≤1,6Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 12,6 nC)

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 4pF)

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused 

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
500V	1,4 Ω	5A