gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 5A 500V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 5N50

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

5A 500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET 5N50

5A 500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET
Tillgänglighet:
Kvantitet:
  • 5N50

  • WXDH

5A 500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.


2 funktioner 

● Snabb växling

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤1,6Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 12,6nC)

● Låga omvända överföringskapacitanser (Typ:4pF)

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test


3 Applikationer 

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter


VDSS  RDS(på)(TYP) ID 
500V 1,4 Ω 5A



Tidigare: 
Nästa: 
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg