5A 500V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 5N50

5A 500V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanal förbättrade VDMOSFET: er erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS -standarden.

2 funktioner 

● Snabbbrytning

● ESD förbättrad förmåga 

● Låg motstånd (RDSON≤1,6Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 12.6nc)

● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 4PF)

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test

3 applikationer 

● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytare för elektronballast och adapter