brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 400V-1500V N MOS » N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

Režim vylepšenia n-kanála Power MOSFET 13A 500V E13N50 až 263

Režim vylepšenia N-kanála Power MOSFET 13A 500V
Dostupnosť:
Množstvo:

N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 13A 500V


1 popis

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (rdson <0,45Ω) 

● Nízka brána (Typ: 40nc)

● Kapacity s nízkym reverzným prenosom (typ: 11pf) 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod napájacieho spínača elektrónového predradníka a adaptéra.


VDSS  RDS (ON) (TYP) Id 
500 V 0,35Ω 13a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty