Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

Noc MOSFET 13A 500V

1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 

2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niska rezystancja (RDSON ≤ 0,45 Ω) 

● Niski ładunek bramki (typ: 40nc)

● Niskie pojemniki z przenoszeniem odwrotnym (Typ: 11pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikacje 

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.