N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer koblingsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skifte 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤0,45Ω) 

● Lav portladning (Type: 40nC)

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 11pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
500V	0,35Ω	13A