N-canale Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

N-canale Enhancement Modus Power MOSFET 13A 500V

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

Minimum resistente (Rdson≤0.45Ω) 

Minimum crimen (Typ: 40nC)

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 11pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
500V	0.35Ω	13A