Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 13A 500V

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● ESD mejoró la capacidad 

● Baja de resistencia (rdson≤0.45Ω) 

● Baja carga de puerta (típ: 40 nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 11pf) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador.