Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET 13A 500V

1 Descriere

Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduc pierderea de conducere, îmbunătățesc performanța de comutare și îmbunătățesc energia de avalanșă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 

2 caracteristici 

● comutare rapidă 

● ESD Capacitate îmbunătățită 

● Rezistență scăzută (RDSON≤0.45Ω) 

● Încărcare scăzută a porții (TIP: 40NC)

● Capacități de transfer invers scăzut (TYP: 11pf) 

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă 

● Test 100% ΔVDS 

3 aplicații 

● Folosit în diverse circuit de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare. 

● Circuitul comutatorului de alimentare a balastului și adaptorului de electroni.

VDSS	RDS (ON) （TIP)	Id
500V	0,35Ω	13A