Mod Peningkatan Saluran N Kuasa MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

Mod Peningkatan Saluran N Kuasa MOSFET 13A 500V

1 Penerangan

Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 

2 Ciri-ciri 

● Penukaran pantas 

● ESD meningkatkan keupayaan 

● Rintangan rendah (Rdson≤0.45Ω) 

● Caj pintu rendah (Jenis: 40nC)

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 11pF) 

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 

3 Aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
500V	0.35Ω	13A