N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 13A 500V

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշ էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● ESD բարելավված կարողություն 

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,45Ω) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 40nC)

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 11pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
500 Վ	0,35 Ω	13Ա