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Diode barrière Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 5A 500V 5N50 5N50
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 60V, DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+fiche technique+Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Fiche technique Donghai DHSJ21N65Z V1.0 (1) .pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
MOSFET de puissance Super jonction canal N 10,6a 650V DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Spécifications de l'appareil DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Appareil+DTG050P06LA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A Description du produit MUR80FU20NCA.pdf
MOSFET de puissance F8N65 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 8A 650V F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 100V, DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Appareil+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Module IGBT demi-pont 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+fiche technique+Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 50A 200V F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Spécification de l'appareil F50N20 (1) .pdf
Module demi-pont 150A 1200V, module IGBT DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
transistor bipolaire G40N120D TO-247 de porte isolée par tranchée de 40A 1200V G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - fiche technique.pdf
Diode barrière Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Spécification de l'appareil DCD04D65G4.pdf

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