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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance Super jonction canal N 10,6a 650V DJF380N65T TO-220F

MOSFET de puissance à super jonction canal N 10,6 A, 650 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance à super jonction canal N 10,6 A 650 V


1 Descriptif

Ce vdmosfet amélioré à canal N utilise une technologie et une conception avancées de super jonction pour fournir un excellent Rds (on) avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures

● Correction du facteur de puissance (PFC). 

● Alimentations à découpage (SMPS).

● Alimentation sans interruption (UPS). 

● Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED 

● Convertisseurs AC vers DC 

● Télécom


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
650V 0,33Ω 10,6A



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