10.6a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendet fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um hervorragende RDS (ON) mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Leistungsfaktorkorrektur (PFC).
● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS).
● Unterbrechungsfreies Stromversorgung (UPS).
● TV -Power & LED -Beleuchtungskraft
● Wechselstrom zu DC -Konvertern
● Telekommunikation
VDSS |
RDS (ON) (Typ) |
AUSWEIS |
650 V |
0,33 Ω |
10.6a |