未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
25A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 10A 600V 10N60 10N60
5A 500 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 5N50 5N50
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datasheet V1.0(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10.6A Laite DJF380N65T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
80A 1200V pikapalautusdiodi MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA -220C -60V -140A Laite+DTG050P06LA+Specification+Rev.1.0.pdf
80A 200V nopea palautusdiodi MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Laite+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
100A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
50A 200V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Laitteen F50N20 Specification(1).pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
4A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Laite DCD04D65G4 Specification.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650 V:n pykälän eristetty kaksinapainen transistori DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _datasheet.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com