未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
160A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
600A 1200V puolisiltamoduuli DGD600H120L2T EconoDUAL3 PAKETTI DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
SchottkyBarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
20A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Laite DCD20D65G4 Specification.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
16 A 600 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
80A 600V pikapalautusdiodi MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 45V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 -220C 100V 25A Laite 25N10 Specification.pdf
60A 600V nopea palautusdiodi MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600V 60A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
50A 30V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Datasheet_V1.0.pdf
4,5 A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
8A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
30A 200V SchottkyBarrierDiode HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT -220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com