未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
8A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
30A 200V SchottkyBarrierDiode HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT -220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf
174A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Laite DHS030N88 Specification.pdf
20A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Laite DH100P20 Specification.pdf
45A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
96A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
80A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Laitteen DHS065N85P Specification.pdf
180A 135V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DSG052N14N -220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
3-tason NPC-invertterimoduuli IGBT-moduuli DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Pin-tehtävä 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
8N65 - 220C 8N65
DSU047N15NA MAKSUPAKETTI DSU047N15NA
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200V 10A 英文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
3A 900 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Laitteen DH3N90 Specification.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Laite DJD420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
7.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Device 640 Specification.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A -220C 150V 115A

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com