未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
70A 82 В. DH8290 До-220c 82 В 70A Устройство DH8290 Specification.pdf
8A 600 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 8N60 до-220C 8n60 До-220c 600 В. 8а 英文版 8n60 技术规格书 .pdf
10A 100V SchottkybarrierDiode MBR10100CT до-220M MBR10100CT До 220м 100 В 10а 英文版 MBR10100CT 技术规格书 .pdf
5A 800V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 До-220f 800 В. 5A 英文版 f5n80 技术规格书 .pdf
5A 500V N-канальный режим режима мощности MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 До 252b 500 В. 5A Устройство D5N50 & B5N50 Specification.pdf
8A 500V N-канальный режим режима мощности MOSFET 8N50 до-220C 8n50 До-220c 500 В. 8а 英文版 8n50 技术规格书 .pdf
100A 40 В n-канальный режим режима мощности MOSFET DHS008N04P DFN5X6 DHS008N04P DFN5X6 40 В 100А DHS008N04P_DATASHEET_V1.0.PDF
60a 300V Диод быстрого восстановления MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT До 247 300 В. 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
16A 600V Диод быстрого восстановления MUR1660CT до-220M MUR1660CT До 220м 600 В. 16A 英文版 MUR1660CT & MURF1660CT 技术规格书 .pdf
16A 600V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
4A 600V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 До-220f 600 В. 4а 英文版 f4n60 技术规格书 .pdf
30A 400 В диод быстрого восстановления MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS До 3pn 400 В. 30A 英文版 MUR3040NCS 技术规格书 .pdf
35A 100 В P-канала режим улучшения мощности MOSFET DH100P35 TO-220C DH100P35 До-220c 100 В 35а Устройство DH100P35 Specification.pdf
10A 700V Диод быстрого восстановления MURF1070 до 220F-2L Murf1070 До-220f 700 В. 10а 英文版 mur1070 技术规格书 .pdf
40a 100v Schottkybarrierdiode MBR40100CT to-220C MBR40100CT До-220c 100 В 40a 英文版 MBR40100CT 技术规格书 Rev1.0.pdf
20A 600V Диод быстрого восстановления MUR2060CT TO-220C MUR2060CT До-220c 600 В. 20А 英文版 mur2060ct 技术规格书 .pdf
160A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET D110N04 до 252B D110N04 До 252b 40 В 160a Устройство 110N04 Specification.pdf
10A 400V Диод быстрого восстановления MURF1040CT TO-220F Murf1040ct До-220f 400 В. 10а 英文版 mur1040ct 技术规格书 .pdf
30A 600V Диод быстрого восстановления MUR3060 до 220-2L MUR3060 До-220C-2L 600 В. 30A 英文版 MUR3060 技术规格书 .pdf
120A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 До-220c 85 В 125а Устройство+DSG048N08N3+Спецификация+Rev.1.0.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com