未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specyfikacja urządzenia DH100P30AD.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specyfikacja urządzenia DH030N03P.pdf
130A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specyfikacja urządzenia DH0159B76(1).pdf
10,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
40A 1200 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200 V 40A G40N120D - karta katalogowa.pdf
80A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N10P(1).pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 700 V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
33A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Specyfikacja urządzenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
65A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
120A100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D120N10 TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia D120N10ZR.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com