Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 700V
1 Opis
Te ulepszone kanały vdmosfety są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawiny. Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Lepsze możliwości ESD
● Niski opór (Rdson≤3,1Ω)
● Niski ładunek bramki (typ: 12,7 nC)
● Niskie pojemności transferu zwrotnego (typ: 2,7 pF)
● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie
● Test 100% ΔVDS
3 aplikacje
● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Obwód wyłącznika zasilania statecznika elektronowego i adaptera.
| VDSS |
RDS (wł.) (TYP) |
ID |
| 700 V |
2,55 Ω |
4,0A |