N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ສະຫຼັບໄວ
● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤3.1Ω)
● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 12.7nC)
● ຄວາມອາດສາມາດການຖ່າຍໂອນຄືນໄດ້ຕໍ່າ (ປະເພດ: 2.7pF)
● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດບເຕີ.
| VDSS |
RDS(ເປີດ) (TYP) |
ID |
| 700V |
2.55Ω |
4.0A |