Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 700V

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● ESD mejoró la capacidad 

● Baja de resistencia (rdson≤3.1Ω)

● Baja carga de puerta (típ: 12.7nc) 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 2.7pf) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador.

VDSS	RDS (ON) （Typ)	IDENTIFICACIÓN
700V	2.55Ω	4.0a