Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 4A 700V D4N70 TO-252B

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 4A 700V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Capacidad mejorada de ESD 

● Baja resistencia (Rdson≤3.1Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 12,7 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 2,7 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
700V	2,55Ω	4.0A