وضع تحسين القناة N الطاقة MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B

وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 4A 700V

1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل، وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات 

● التبديل السريع 

● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة 

● مقاومة منخفضة (Rdson≥3.1Ω)

● شحن البوابة منخفض (النوع: 12.7nC) 

● سعات النقل العكسي المنخفضة (النوع: 2.7pF) 

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100% 

● اخت653a55145c58a5=اتصل بنا 

3 تطبيقات 

● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.

● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول.

VDSS	RDS(على)(TYP)	بطاقة تعريف
700 فولت	2.55 أوم	4.0 أ