מצב שיפור N-channel Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B

מצב N-channel Enhancement Power MOSFET 4A 700V

1 תיאור

מכשירי Vdmosfets משופרים אלה עם ערוץ N, מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת. מה שמתאים לתקן RoHS. 

2 תכונות 

● מעבר מהיר 

● יכולת משופרת של ESD 

● התנגדות נמוכה (Rdson≤3.1Ω)

● טעינת שער נמוכה (סוג: 12.7nC) 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים (סוג: 2.7pF) 

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS 

3 יישומים 

● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר.

● מעגל מתג מתח של נטל אלקטרוני ומתאם.

VDSS	RDS(מופעל) (TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
700V	2.55Ω	4.0A