N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B

N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer omskiftningsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Hurtigt skifte 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤3,1Ω)

● Lav portladning (Type: 12,7nC) 

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 2,7pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
700V	2,55Ω	4,0A