N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B

N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 4A 700V

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken 

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤3.1Ω)

● Lage poortlading (typ: 12,7 nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 2,7pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
700V	2,55Ω	4,0A