የኤን-ቻናል ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B

የኤን-ቻናል ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET 4A 700V

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት 

● ፈጣን መቀያየር 

● ESD ችሎታን አሻሽሏል። 

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤3.1Ω)

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 12.7nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 2.7pF) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና 

3 መተግበሪያዎች 

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
700 ቪ	2.55Ω	4.0A