brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
150A 1200V Modul polovičného mostíka IGBT modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolárny tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dióda 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Špecifikácia zariadenia DH100P30AD.pdf
 Rýchla obnovovacia dióda 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Špecifikácia zariadenia DH030N03P.pdf
130A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
2A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
60A 300V Dióda rýchlej obnovy MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia DH0159B76(1).pdf
10,6A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
80A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Zariadenie DH072N07 Špecifikácia.pdf
80A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N10P(1).pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
20A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
33A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Špecifikácia zariadenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
65A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Zariadenie DH80N08 B22 Špecifikácia.pdf
120A100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D120N10 TO-220C 100 V 120A Špecifikácia zariadenia D120N10ZR.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty