未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

Të gjitha Produktet

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
SiC Schottky Diodë Barriere 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30AD.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
Dioda e rikuperimit të shpejtë 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20 A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specifikimi i pajisjes DH030N03P.pdf
130A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130 A DSP038N08NA_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
60A 300V diodë me rikuperim të shpejtë MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60 A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 60A 100 V Fuqia MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specifikimi i pajisjes DH0159B76(1).pdf
10,6A 650 V me kanal N-MOSFET me fuqi super kryqëzimi DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10.6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
80A 68V-N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
Tranzistor bipolar G40N120D TO-247 me portë të izoluar 1200 V G40N120D TO-247 1200 V 40 A G40N120D - fletë të dhënash.pdf
80A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80 A Specifikimi i pajisjes DHS065N10P(1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 20A 650 V Fuqia MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
33A 60V 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Specifikimi i pajisjes DH240N06L Rev.2.0.pdf
65A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH80N08 B22.pdf
120A100V MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N D120N10 TO-220C 100 V 120A Specifikimi i pajisjes D120N10ZR.pdf
10A 600V diodë me rikuperim të shpejtë MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com