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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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 Diodo de barreira SiC Schottky 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD PARA-252B 100V 30A Especificação do dispositivo DH100P30AD.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
 Diodo de recuperação rápida 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Especificação do dispositivo DH030N03P.pdf
130A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100V 59A Especificação do dispositivo DH0159B76 (1).pdf
10.6A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T PARA-252B 650 V 10,6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
transistor bipolar isolado G40N120D TO-247 da porta de 40A 1200V Trenchstop G40N120D PARA-247 1200 V 40A G40N120D - folha de dados.pdf
80A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Especificação do dispositivo DHS065N10P (1).pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 PARA-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
33A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD PARA-252B 60V 33A Especificação do dispositivo DH240N06L Rev.2.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 65A 100V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Especificação do dispositivo DH80N08 B22.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 120A100V D120N10 TO-220C 100V 120A Especificação do dispositivo D120N10ZR.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf

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