30mΩ 1200V canal N SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

MOSFET de potência SiC de canal N de 30mΩ 1200V

1 Descrição 

Esta família de produtos oferece desempenho de última geração. Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade. 

2 recursos

● Maior eficiência do sistema

● Requisitos de resfriamento reduzidos

● Aumento da densidade de potência 

● Maior frequência de comutação do sistema 

3 aplicações 

● Fontes de alimentação. 

● Conversores CC/CC de alta tensão. 

● Acionamentos de motores. 

● Fontes de alimentação comutadas 

● Aplicações de energia pulsada

VBRM	RDS(ligado) (TYP)	EU IA
1200 V	30mΩ	68A