MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L

MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V

1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche

● Maggiore efficienza del sistema

● Requisiti di raffreddamento ridotti

● Maggiore densità di potenza 

● Maggiore frequenza di commutazione del sistema 

3 applicazioni 

● Alimentatori. 

● Convertitori CC/CC ad alta tensione. 

● Azionamenti a motore. 

● Alimentatori a commutazione 

● Applicazioni di potenza pulsata

VBRM	RDS(acceso) (TIPO)	ID
1200 V	30 mΩ	68A