MOSFET de potencia de SiC de canal N de 30mΩ y 1200V DCCF030M120G2 TO-247-4L

MOSFET de potencia de SiC de canal N de 30 mΩ y 1200 V

1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características

● Mayor eficiencia del sistema

● Requisitos de refrigeración reducidos

● Mayor densidad de energía 

● Mayor frecuencia de conmutación del sistema 

3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación. 

● Convertidores CC/CC de Alta Tensión. 

● Accionamientos de motores. 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado 

● Aplicaciones de energía pulsada

VBM	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
1200V	30mΩ	68A