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30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
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  • DCCF030M120G2

  • WXDH

30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen

● Höhere Systemeffizienz

● Reduzierter Kühlbedarf

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit 


3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler. 

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile 

● Anwendungen mit gepulster Leistung


VBRM RDS(ein) (TYP) AUSWEIS
1200V 30mΩ 68A


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SiC-Leistungs-MOSFET
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