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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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30m Ω 1200 V N-Kanal SIC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

Diese Produktfamilie bietet hochmoderne Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen ausgelegt, bei denen eine hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit
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  • DCCF030M120G2

  • Wxdh

30 mΩ 1200 V N-Kanal SIC Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet hochmoderne Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen ausgelegt, bei denen eine hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Merkmale

● höhere Systemeffizienz

● Reduzierte Kühlanforderungen

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschaltfrequenz 


3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs -DC/DC -Konverter. 

● Motorfahrten. 

● Switch -Modus -Netzteile 

● Pulsed Power Applications


Vbrm RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
1200V 30m Ω 68a


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