30mΩ 1200V N-channel SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

30mΩ 1200V N-channel SiC Power MOSFET

1 תיאור 

משפחת מוצרים זו מציעה ביצועים מתקדמים. הוא מיועד ליישומים בתדר גבוה שבהם נדרשות יעילות גבוהה ואמינות גבוהה. 

2 תכונות

● יעילות מערכת גבוהה יותר

● דרישות קירור מופחתות

● צפיפות כוח מוגברת 

● תדירות מיתוג מערכת מוגברת 

3 יישומים 

● ספקי כוח. 

● ממירי DC/DC במתח גבוה. 

● כונני מנוע. 

● ספקי כוח במצב Switch Mode 

● יישומי Power Pulsed

VBRM	RDS(מופעל) (TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
1200V	30mΩ	68A