30mΩ 1200V N-kanaal SiC-voedingsMOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

30 mΩ 1200 V N-kanaal SiC-voedings-MOSFET

1 Beschrijving 

Deze productfamilie biedt ultramoderne prestaties. Het is ontworpen voor hoogfrequente toepassingen waarbij een hoog rendement en hoge betrouwbaarheid vereist zijn. 

2 Kenmerken

● Hogere systeemefficiëntie

● Verminderde koelingsvereisten

● Verhoogde vermogensdichtheid 

● Verhoogde systeemschakelfrequentie 

3 toepassingen 

● Voedingen. 

● Hoogspannings-DC/DC-converters. 

● Motoraandrijvingen. 

● Schakelende voedingen 

● Pulsed Power-toepassingen

VBRM	RDS(aan) (TYP)	Identiteitskaart
1200V	30mΩ	68A