未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » SIC » 650V-1700V SIC DIODA » MOSFET 30mΩ 1200V N-kanal SiC Power DCCF030M120G2 TO-247-4L

ngarkim

Shpërndaje në:
butoni i ndarjes së facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
butoni i ndarjes së wechat
butoni i ndarjes së linkedin
butoni i ndarjes pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Ndani këtë buton të ndarjes

MOSFET SiC Power 30mΩ 1200V me kanal N DCCF030M120G2 TO-247-4L

Kjo familje produktesh ofron performancë moderne. Është projektuar për aplikime me frekuencë të lartë ku kërkohet efikasitet dhe besueshmëri e lartë
Disponueshmëria:
Sasia:
pyesni Shto në Shportë

  • DCCF030M120G2

  • WXDH

MOSFET SiC Power 30mΩ 1200V me kanal N


1 Përshkrimi 

Kjo familje produktesh ofron performancë moderne. Është projektuar për aplikime me frekuencë të lartë ku kë 


2 Karakteristikat

● Efikasitet më i lartë i sistemit

● Kërkesa të reduktuara për ftohje

● Dendësia e rritur e fuqisë 

● Rritja e frekuencës së ndërrimit të sistemit 


3 Aplikacionet 

● Furnizimet me energji elektrike. 

● Konvertuesit e tensionit të lartë DC/DC. 

● Ngasje motorike. 

● Furnizimet me energji elektrike të modalitetit të ndërrimit 

● Aplikacionet Pulsed Power


VBRM RDS(aktiv) (TYP) ID
1200 V 30 mΩ 68A


E mëparshme: 
Tjetër: 
SiC Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com