30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET
1 Leírás
Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség.
2 Jellemzők
● Magasabb rendszerhatékonyság
● Csökkentett hűtési igény
● Megnövelt teljesítménysűrűség
● Megnövelt rendszerváltási frekvencia
3 Alkalmazások
● Tápegységek.
● Nagyfeszültségű DC/DC átalakítók.
● Motor hajtások.
● Kapcsolóüzemű tápegységek
● Impulzusteljesítményű alkalmazások
| VBRM |
RDS(be) (TYP) |
ID |
| 1200V |
30 mΩ |
68A |