kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » SIC » 650V-1700V SIC DIÓDA » 30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyság és nagy megbízhatóság szükséges
Elérhetőség:
Mennyiség:
  • DCCF030M120G2

  • WXDH

30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET


1 Leírás 

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők

● Magasabb rendszerhatékonyság

● Csökkentett hűtési igény

● Megnövelt teljesítménysűrűség 

● Megnövelt rendszerváltási frekvencia 


3 Alkalmazások 

● Tápegységek. 

● Nagyfeszültségű DC/DC átalakítók. 

● Motor hajtások. 

● Kapcsolóüzemű tápegységek 

● Impulzusteljesítményű alkalmazások


VBRM RDS(be) (TYP) ID
1200V 30 mΩ 68A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket