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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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Diodo de recuperação rápida 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
240A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Folha de dados+V2.0.pdf
300A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSU021N10NA PACOTE DE PORTÁGIO DSU021N10NA PEDÁGIO 100 V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Especificação do dispositivo DH060N03R.pdf
120A 70V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D PARA-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Folha de dados+V3.0 (1).pdf
diodo de barreira sic Schottky DCCT40D120G4 TO-247-2 de 40A 1200V DCCT40D120G4 PARA-247-2 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCCT40D120G4.pdf
3A 900V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 PARA-251 900V 3A Especificação do dispositivo DH3N90.pdf
4.8A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 PARA-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
60A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Especificação do dispositivo DH065N04P.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCGT15D120G4 TO-220-2 de 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Especificação do dispositivo DCGT15D120G4.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky DCE30D65G4 TO-263 de 30A 650V DCE30D65G4 PARA-263 650 V 30A Especificação do dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Especificação+Rev.2.0.pdf
7.0A 1700V canal N SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 PARA-247 1700 V 7A Donghai_DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEDÁGIO 100 V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Especificação+V2.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 140A 85V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
500V/4A meia ponte IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
80A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04P DFN5X6 PACOTE DH045N04P DFN5X6 40V 80A Especificação do dispositivo DH045N04P (1).pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
 Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Especificação do dispositivo DHS020N04.pdf

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