7.0A 1700V canal N SiC Power MOSFET
1 Descrição
Esta família de produtos oferece desempenho de última geração. Ele foi projetado para aplicações de alta frequência onde são necessárias alta eficiência e alta confiabilidade.
2 recursos
● Alta tensão de bloqueio com baixa resistência
● Comutação de alta velocidade com baixa capacitância
● Fácil de Paralelo e Simples de Conduzir
● Capacitância Drain-gate ultrabaixa
3 aplicações
● Fontes de alimentação auxiliares
● Fontes de alimentação comutadas
● Capacitivo de alta tensão
| VBRM |
RDS(ligado) (TYP) |
EU IA |
| 1700V |
650mΩ |
7A |