7.0A 1700V N-channel SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247

7.0A 1700V N-channel SiC Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս ապրանքային ընտանիքն առաջարկում է ժամանակակից ներկայացում: Այն նախատեսված է բարձր հաճախականության ծրագրերի համար, որտեղ պահանջվում է բարձր արդյունավետություն և բարձր հուսալիություն: 

2 Հատկանիշներ

● Բարձր արգելափակման լարում ցածր միացման դիմադրությամբ

● Բարձր արագությամբ անջատում ցածր հզորությամբ 

● Հեշտ է զուգահեռաբար և հեշտ է վարել 

● Դրենաժային դարպասի չափազանց ցածր հզորություն

3 Դիմումներ

● Օժանդակ սնուցման սարքեր

● Անջատիչ ռեժիմի սնուցման աղբյուրներ

● Բարձր լարման կոնդենսիվ

VBRM	RDS (միացված) (TYP)	ID
1700 Վ	650 mΩ	7Ա