7.0A 1700V N-csatornás SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247

7.0A 1700V N-csatornás SiC Power MOSFET

1 Leírás 

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 

2 Jellemzők

● Magas blokkolófeszültség alacsony bekapcsolási ellenállással

● Nagy sebességű kapcsolás alacsony kapacitással 

● Könnyen párhuzamosan és egyszerűen vezethető 

● Ultra-alacsony Drain-gate kapacitás

3 Alkalmazások

● Kiegészítő tápegységek

● Kapcsolóüzemű tápegységek

● Nagyfeszültségű kapacitív

VBRM	RDS(be) (TYP)	ID
1700V	650 mΩ	7A