7,0A 1700V N-kanaal SiC-voedingsMOSFET DCC650M170G1 TO-247

7,0A 1700V N-kanaal SiC-voedings-MOSFET

1 Beschrijving 

Deze productfamilie biedt ultramoderne prestaties. Het is ontworpen voor hoogfrequente toepassingen waarbij een hoog rendement en hoge betrouwbaarheid vereist zijn. 

2 Kenmerken

● Hoge blokkeerspanning met lage inschakelweerstand

● Hoge snelheidsschakeling met lage capaciteit 

● Gemakkelijk parallel te schakelen en eenvoudig te besturen 

● Ultralage drain-gate-capaciteit

3 toepassingen

● Hulpvoedingen

● Schakelende voedingen

● Hoogspanningscapacitief

VBRM	RDS(aan) (TYP)	Identiteitskaart
1700V	650mΩ	7A