MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247

MOSFET de potencia de SiC de canal N de 7,0 A y 1700 V

1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características

● Alto voltaje de bloqueo con baja resistencia de encendido

● Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia 

● Fácil de poner en paralelo y sencillo de manejar 

● Capacitancia de compuerta de drenaje ultrabaja

3 aplicaciones

● Suministros de energía auxiliar

● Fuentes de alimentación de modo conmutado

● Capacitivo de alto voltaje

VBM	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
1700V	650mΩ	7A