MOSFET de puissance SiC canal N, 7,0 A, 1 700 V, DCC650M170G1 TO-247

MOSFET de puissance SiC canal N 7,0 A, 1 700 V

1 Descriptif 

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques

● Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

● Commutation haute vitesse avec faible capacité 

● Facile à mettre en parallèle et simple à piloter 

● Capacité de drain-gate ultra-faible

3 candidatures

● Alimentations auxiliaires

● Alimentations à découpage

● Capacitif haute tension

VBRM	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
1700V	650 mΩ	7A