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7,0 A 1700 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC650M170G1 TO-247

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
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7,0 A 1700 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen

● Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand

● Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringer Kapazität 

● Einfach zu parallelisieren und einfach zu fahren 

● Extrem niedrige Drain-Gate-Kapazität


3 Anwendungen

● Hilfsstromversorgungen

● Schaltnetzteile

● Hochspannungskapazitiv


VBRM RDS(ein) (TYP) AUSWEIS
1700V 650 mΩ 7A


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SiC-Leistungs-MOSFET
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