πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » ΟΥΤΩ » 650V-1700V SIC ΔΙΩΔΟΣ » 7.0A 1700V N-channel SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

7.0A 1700V N-κανάλι SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247

Αυτή η οικογένεια προϊόντων προσφέρει επιδόσεις αιχμής. Έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές υψηλής συχνότητας όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

MOSFET SiC Power N-καναλιών 7.0A 1700V


1 Περιγραφή 

Αυτή η οικογένεια προϊόντων προσφέρει επιδόσεις αιχμής. Είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία. 


2 Χαρακτηριστικά

● Υψηλή τάση μπλοκαρίσματος με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης

● Εναλλαγή υψηλής ταχύτητας με χαμηλή χωρητικότητα 

● Εύκολο στην παράλληλη και απλή στην οδήγηση 

● Εξαιρετικά χαμηλή χωρητικότητα πύλης αποστράγγισης


3 Εφαρμογές

● Βοηθητικά Τροφοδοτικά

● Τροφοδοτικά εναλλαγής λειτουργίας

● Χωρητικό υψηλής τάσης


VBRM RDS(ενεργό) (TYP) ταυτότητα
1700V 650mΩ


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας