未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » SIC » DIODO SIC 650V-1700V » MOSFET di potenza SiC a canale N DCC650M170G1 TO-247 da 7,0 A 1700 V

caricamento

Condividi su:
pulsante di condivisione di Facebook
pulsante di condivisione su Twitter
pulsante di condivisione della linea
pulsante di condivisione wechat
pulsante di condivisione linkedin
pulsante di condivisione di Pinterest
pulsante di condivisione di whatsapp
condividi questo pulsante di condivisione

MOSFET di potenza SiC a canale N DCC650M170G1 TO-247 da 7,0 A 1700 V

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità
Disponibilità:
Quantità:
Informarsi Aggiungi al carrello

MOSFET di potenza SiC a canale N da 7,0 A 1700 V


1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 


2 Caratteristiche

● Elevata tensione di blocco con bassa resistenza nello stato di conduzione

● Commutazione ad alta velocità con bassa capacità 

● Facile da parallelizzare e semplice da guidare 

● Capacità drain-gate estremamente bassa


3 applicazioni

● Alimentatori ausiliari

● Alimentatori a commutazione

● Capacitivo ad alta tensione


VBRM RDS(acceso) (TIPO) ID
1700 V 650 mΩ 7A


Precedente: 
Prossimo: 
MOSFET di potenza SiC
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com