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100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A PARA-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCC20D65G4 TO-247-3 de 20A 650V DCC20D65G4 PARA-247 650 V 20A Especificação do dispositivo DCC20D65G4.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 20A 650V DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 PARA-247 650 V 20A DGC20F65M2_datasheet.pdf
120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 600V MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT PARA-247 600 V 60A 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
40mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 PARA-247 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barreira DCE08D65G4 TO-263 de 8A 650V SiC Schottky DCE08D65G4 PARA-263 650 V 8A Especificação do dispositivo DCE08D65G4.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100V 108A Especificação do dispositivo DHS051N10P (2).pdf
250A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Especificação do dispositivo DH019N04.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N PARA-252B 68 V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7810 TO-220M L7810 PARA-220M 10V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
Diodo de recuperação rápida 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 200V MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT TO-3PN 200 V 80A 英文版MUR80FU20NCT技术规格书REV1.2.pdf
60A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 PARA-252B 60V 60A Especificação do dispositivo DHD015N06(低开启电压50N06）.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P28.pdf
180A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Folha de dados Rev.1.0 .pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D PARA-252B 68 V 60A Especificação do dispositivo DH105N07.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A PARA-252B 100V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

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