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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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60A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Especificação do dispositivo DH065N04P.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L PARA-220C 30V 150A DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 PARA-220C 85 V 100A Especificação do dispositivo DHS065N85.pdf
10.6A 700V canal N Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10,6A Especificação do dispositivo DJF420N70T Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 PARA-220C 120V 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT PARA-220C 150 V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
30A 45V SchottkyBarrierDiode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 140A 85V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
200A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D PARA-252B 30V 200A Especificação do dispositivo DH020N03 (B39).pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 68A 100V DH140N10D PARA-252B 100 V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
130A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
 Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 PARA-220C 40V 180A Especificação do dispositivo DHS020N04.pdf
Diodo de recuperação rápida 16A 400V MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400 V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Especificação do dispositivo DH060N03R.pdf
120A 70V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D PARA-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Folha de dados+V3.0 (1).pdf
diodo de barreira sic Schottky DCCT40D120G4 TO-247-2 de 40A 1200V DCCT40D120G4 PARA-247-2 1200 V 40A Especificação do dispositivo DCCT40D120G4.pdf
4.8A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 PARA-252B 650 V 4,8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCGT15D120G4 TO-220-2 de 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Especificação do dispositivo DCGT15D120G4.pdf
10.6A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T PARA-252B 650 V 10,6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf

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