brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček v a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
96A 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100v 96a Zařízení DSP051N10N Specifikace Rev.1.0.pdf
60A 300V Fast Recovery Diode MUR6030NCA TO-3pn Mur6030NCA To-3pn 300V 60a 英文版 Mur6030NCA 技术规格书 .pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650V 50a _Datasheet.pdf
220a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220a Zařízení DTE025N04NA & DTG025N04NA Specifikace Rev.1.0.pdf
2A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2a 英文版 D2n60 技术规格书 .pdf
13a 900V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 13N90 až 3pn 13N90 To-3pn 900V 13a 英文版 13N90 技术规格书 .pdf
100A 100V N-CANNEL REŽIMEM REŽIM MOSFET DHS065N10 TO-220C 100v 95a Zařízení+DHS065N10+Specifikace+Rev.2.0.pdf
30A 600V Fast Recovery Diode Murf3060 TO-220-2L Murf3060
6A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6a _Datasheet.pdf
80a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
65a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30v 65a Zařízení DH033N03R Specifikace.pdf
9A 900V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 9N90B TO-247 9N90B TO-247 900V 9a 英文版 9N90B 技术规格书 Rev1.0 (1) .pdf
18A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18a 英文版 F18N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
155a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155a Zařízení DH035N04 Specifikace.pdf
 Pozitivní regulátory napětí 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2Ma 英文版 78lxx 技术规格书( 78l 系列) .pdf
47a 100v n-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100v 47a Zařízení DH135N10P Specification.pdf
 N-Channel Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7a Zařízení dhdsj7n65 & dhbsj7n65 specifikace.doc.pdf
10A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10a 英文版 F10N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
80a 300V Fast Recovery Diode Mur80G30NCT TO-3pn Mur80G30NCT To-3pn 300V 80a 英文版 Mur80G30NCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
35A 120V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35a Zařízení+DSD270N12N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf

Video produktu

  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty