未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A Donghai_DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Specifikace zařízení DCC20D65G4.pdf
20A 650V Trenchstop izolovaná brána bipolární tranzistor DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650V 20A DGC20F65M2_datasheet.pdf
120A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Zařízení+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
60A 600V Dioda rychlého obnovení MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600V 60A 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
40mΩ 650V N-kanál SiC Power MOSFET DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
8A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Specifikace zařízení DCE08D65G4.pdf
DHS051N10P DFN5X6 DH DFN5X6 100V 108A Specifikace zařízení DHS051N10P(2).pdf
250A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Specifikace zařízení DH019N04.pdf
N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7810 TO-220M L7810 TO-220M 10V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
30A 400V Dioda rychlé obnovy MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
80A 200V Dioda rychlé obnovy MUR80FU20NCT TO-3PN MUR80FU20NCT TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCT技术规格书REV1.2.pdf
60A 60V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Specifikace zařízení DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Specifikace zařízení DH100P28.pdf
180A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Specifikace zařízení DH105N07.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com