未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi
Model:
Paket:
V:
A:
ODABRANE LINIJE PROIZVODA:

Svi proizvodi

Slika Model Paket V A Datasheet Detalji Upit Dodaj u košaricu
60A 40V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Specifikacija uređaja DH065N04P.pdf
30V/2.2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30V 150A DTG023N03L_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Uređaj DHS065N85 Specifikacija.pdf
10.6A 700V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Specifikacija uređaja DJF420N70T Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
20A 150V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT TO-220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
30A 45V Schottky Barrier Diode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
140A 85V N-kanalni mod poboljšanja Power MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
200A 30V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Uređaj DH020N03(B39) Specifikacija.pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Podatkovna tablica_V1.0.pdf
130A 100V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180A Uređaj DHS020N04 Specifikacija.pdf
16A 400V Dioda za brzi oporavak MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Specifikacija uređaja DH060N03R.pdf
120A 70V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Podatkovna tablica+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottky barijerna dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikacija uređaja DCCT40D120G4.pdf
4.8A 650V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datumski list_V1.0(2).pdf
2A 650V N-kanalni mod poboljšanja Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
15A 1200V SiC Schottky barijerna dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Uređaj DCGT15D120G4 Specifikacija.pdf
10.6A 650V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A DJD380N65T_Datumska tablica_V1.0.pdf

Video o proizvodu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali ažuriranja izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com